Оперативная память Форм-фактор: RDIMM

Найдено 29 товар
 1 / 1 
Примененные фильтры
Оперативная память Samsung M393A8G40AB2-CWE M393A8G40AB2-CWEBY
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36
20746

Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWE M393A4K40EB3-CWEBY
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36
8967

Серверная оперативная память ОЗУ HP Registered Smart Memory P06192-001
Модуль памяти HPE 64GB (1x64GB) Dual Rank x4 DDR4-2933 CAS-21-21-21 Registered Smart Memory NEW Pulled (P00930-B21)
35125

Серверная оперативная память ОЗУ Dell 32 ГБ 370-AGDS
Серверная оперативная память ОЗУ Dell 32 ГБ 370-AGDS (32 ГБ, DDR4)
9004

Серверная оперативная память ОЗУ HP Registered Smart Memory Kit P06188-001
Модуль памяти HPE 16GB (1x16GB) Dual Rank x8 DDR4-2933 CAS-21-21-21 Registered Smart Memory (for Gen10 Intel 2nd Gen, NEW Pulled, P00922-B21)
10717

Серверная оперативная память ОЗУ Lenovo B-4ZC7A08710
Серверная оперативная память ОЗУ Lenovo B-4ZC7A08710 (64 ГБ, DDR4)
34565

Оперативная память Samsung M393A2K40EB3-CWE M393A2K40EB3-CWEBY
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
6312

Оперативная память 32Gb DDR4 3200MHz HP ECC Reg P06033-B21
32 Гб, ddr4 dimm, 25600 мб/с, cl22, ecc, буферизованная
22784

Серверная оперативная память ОЗУ Lenovo TCH ThinkSystem 4ZC7A08707

Серверная оперативная память ОЗУ Dell 16 ГБ 370-AEVQ
Серверная оперативная память ОЗУ Dell 16 ГБ 370-AEVQ (16 ГБ, DDR4)
7519

Оперативная память Samsung M321R2GA3BB6-CQK
16 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
10016

Оперативная память Samsung M321R8GA0BB0-CQK
64 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
36632

Оперативная память Samsung M393B2G70DB0-YK0
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR3L | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб / с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.35 В
16095

Оперативная память Samsung M393A1K43DB2-CWE
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18
5109

Серверная оперативная память ОЗУ Dell 64 ГБ 370-AEVPt
Серверная оперативная память ОЗУ Dell 64 ГБ 370-AEVPt (64 ГБ, DDR4)
31117

Оперативная память Samsung M393A8G40BB4-CWE M393A8G40BB4-CWEBY
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
19226

Оперативная память Synology D4ER01-32G
модуль оперативной памяти 32 Гб DDR4 ECC Registered DIMM, для FS3410, HD6500, SA6400, SA3610, SA3410
108538

Оперативная память Samsung M321R4GA0BB0-CQK
32 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
17833

Оперативная память Samsung M393A8G40MB2-CVF
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36
21187

Оперативная память Synology D4ER01-16G
модуль оперативной памяти 16 Гб DDR4 ECC Registered DIMM, для FS3410, SA3610, SA3410
54111

Оперативная память Samsung M393A2K43EB3-CWE M393A2K43EB3-CWEBY
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18
6375

Оперативная память Samsung M393AAG40M32-CAE
Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (3DS 2H 8G x 4) x 36
100200

Оперативная память Samsung M393A1K43DB1-CVF
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 9
Цена по запросу

Оперативная память Synology RAMRG2133DDR4-16GB
модуль памяти объемом 16 Гбайт, DDR4, 2133 МГц, ECC, регистровая, Dual Rank, 1.2В
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M393A2K40DB3-CWE M393A2K40DB3-CWEBY
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M393B1G70BH0-YK0
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR3 | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб / с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.35 В
Цена по запросу

Оперативная память Synology RAMRG2133DDR4-32GB
модуль оперативной памяти объёмом 32Гбайт, DDR4, 2133МГц, ECC, регистровая, для СХД Synology RackStation RS4017xs+/RS3617xs+/RPxs
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M393A4K40CB2-CVF M393A4K40CB2-CVFBY
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M393A2K40DB2-CTD M393A2K40DB2-CTD7Y
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб / с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18
Цена по запросу


Вверх