Закажите обратный звонок

Объем памяти: 2 Гб | Тип памяти: DDR3 | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб/с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.5 В

Оперативная память Kingston KVR16S11S6/2
1 613
 В корзину

Объем: 4 Гб | Тип: DDR3L | Форм-фактор: SODIMM 204-контакта | Тактовая частота: 1866 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-4GDR3LA0-SO-1866
24 086
 В корзину

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR3L | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб/с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.35 В

Оперативная память Samsung M393B2G70DB0-YK0
17 280
 В корзину

Объем: 4 Гб | Тип: DDR3L | Форм-фактор: SODIMM 204-контактов | Тактовая частота: 1600 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-4GDR3L-SO-1600
25 495
 В корзину

ValueRAM | Объем: 16 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память Kingston KVR26N19D8/16
4 818
 В корзину

16 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В

Оперативная память Samsung M323R2GA3BB0-CQK
7 361
 В корзину

Объем памяти: 2 Гб | Тип памяти: DDR3L | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб/с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.35 В

Оперативная память Kingston KVR16LS11S6/2
1 613
 В корзину

ValueRAM | Объем: 2 Гб | Тип: DDR3 | Форм-фактор: DIMM 240-контактов | Тактовая частота: 1600 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память Kingston KVR16N11S6/2
1 613
 В корзину

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Registered DIMM | Количество контактов: 288 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 16

Оперативная память Synology D4RD-2666-16G
52 824
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR3 | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб/с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.35 В

Оперативная память Samsung M393B1G70BH0-YK0
9 183
 В корзину

Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: RDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-8GDR4ECT0-RD-2400
26 988
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18

Оперативная память Samsung M393A1K43DB2-CWE
4 194
 В корзину

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36

Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWE
7 635
 В корзину

8 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 5600 МГц, CL46, 288-pin, 1.1 В

Оперативная память Samsung M323R1GB4BB0-CQK
3 159
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered DIMM

Оперативная память Synology D4EU01-8G
27 469
 В корзину

32 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В

Оперативная память Samsung M323R4GA3BB0-CQK
13 728
 В корзину

Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KVR26N19S6/4
2 022
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KVR26S19S8/8
2 474
 В корзину

Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память Synology D4EC-2666-8G
32 750
 В корзину

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В

Оперативная память HPE P00922-B21
24 075
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: UDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Samsung M378A1G44AB0-CWE
2 119
 В корзину

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 17

Оперативная память Synology D4ECSO-2666-16G
63 388
 В корзину

Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KVR26S19S6/4
2 022
 В корзину

Оперативная память 8 ГБ DDR3, 1600 МГц, SO-DIMM

Оперативная память QNAP RAM-8GDR3-SO-1600
24 515
 В корзину

Объем: 4 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: UDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-4GDR4A0-UD-2400
25 495
 В корзину

Объем: 2 Гб | Тип: DDR3L | Форм-фактор: SODIMM 204-контакта | Тактовая частота: 1600 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-2GDR3L-SO-1600
17 968
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KVR26N19S8/8
2 474
 В корзину

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36

Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CWE
27 419
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Samsung M378A1K43EB2-CWE
2 741
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 25600 Мб/с | Частота: 3200 МГц | Напряжение питания: 1.2 В

Оперативная память Synology D4ES02-8G
45 428
 В корзину

32 Гб, ECC UDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В

Оперативная память Samsung M324R4GA3BB0-CQK
16 225
 В корзину

32 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В

Оперативная память Samsung M321R4GA0BB0-CQK
15 319
 В корзину

модуль памяти

Опытные консультанты всегда готовы помочь с выбором оптимального решения для ваших задач.

  • ✅ Интернет-магазин Telecom-Sales.Ru предлагает купить Оперативная память - 40 шт. в наличии.
  • ✅ В каталоге представлены Оперативная память Dell, HPE, Kingston, Lenovo, QNAP, Samsung, SuperMicro, Synology. Для удобства выбора на сайте представлены технические характеристики, описание товаров, цены и фотографии.
  • ✅ Цены на модуль памяти начинаются от 1613 до 85708 руб., в зависимости от модели. В стоимость включен НДС. Вы можете купить модуль памяти как оптом, так и в розницу, работаем с юридическими и физическими лицами.

Заказать модуль памяти с доставкой по Москве, Санкт-Петербургу, Казани, Нижнему Новгороду, Красноярску, Перми, Екатеринбургу, Уфе, Краснодару, Новосибирску, Ростову-на-Дону, Челябинску, Самаре, Сочи, Симферополю и Севастополю, и по другим городам России.