Оперативная память Коррекция ошибок: с коррекцией ошибок ECC

Найдено 57 товар
 1 / 2
Примененные фильтры
Оперативная память 16Gb DDR4 3200MHz HP ECC P43019-B21
16 Гб, ddr4 dimm, 25600 мб/с, cl22, ecc
8049

Оперативная память Samsung M393A8G40AB2-CWE M393A8G40AB2-CWEBY
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36
20746

Оперативная память QNAP RAM-8GDR4ECT0-RD-2400
Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: RDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
43571

Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWE M393A4K40EB3-CWEBY
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36
8967

Оперативная память Synology D4EU01-8G
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered DIMM
24577

Серверная оперативная память ОЗУ HP Registered Smart Memory P06192-001
Модуль памяти HPE 64GB (1x64GB) Dual Rank x4 DDR4-2933 CAS-21-21-21 Registered Smart Memory NEW Pulled (P00930-B21)
35125

Серверная оперативная память ОЗУ Dell 32 ГБ 370-AGDS
Серверная оперативная память ОЗУ Dell 32 ГБ 370-AGDS (32 ГБ, DDR4)
9004

Серверная оперативная память ОЗУ HP memory for Gen9 819413R-001
Модуль памяти HPE 64GB PC4-2400T-L (DDR4-2400) Load reduced Quad-Rank x4 memory for Gen9 E5-2600v4 series (R-Refurbished, 1 Y Warr) / (805358-B21 / 819413-001)
34387

Серверная оперативная память ОЗУ HP Registered Smart Memory Kit P06188-001
Модуль памяти HPE 16GB (1x16GB) Dual Rank x8 DDR4-2933 CAS-21-21-21 Registered Smart Memory (for Gen10 Intel 2nd Gen, NEW Pulled, P00922-B21)
10717

Серверная оперативная память ОЗУ Lenovo B-4ZC7A08710
Серверная оперативная память ОЗУ Lenovo B-4ZC7A08710 (64 ГБ, DDR4)
34565

Оперативная память QNAP RAM-16GDR4A0-UD-2400
Объем: 16 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 240-контакта | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
64775

Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CVF
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36
49041

Оперативная память Samsung M393A2K40EB3-CWE M393A2K40EB3-CWEBY
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
6312

Оперативная память 32Gb DDR4 3200MHz HP ECC Reg P06033-B21
32 Гб, ddr4 dimm, 25600 мб/с, cl22, ecc, буферизованная
22784

Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CWE
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36
23716

Серверная оперативная память ОЗУ HP memory for Gen10 850882R-001
Модуль памяти HPE 64GB PC4-2666V-L (DDR4-2666) Load reduced Quad-Rank x4 memory for Gen10 (1st gen Xeon Scalable) / (R-Refurbished, 1 Y Warr) / (815101-B21 / 850882-001)
39661

Серверная оперативная память ОЗУ Lenovo TCH ThinkSystem 4ZC7A08707

Серверная оперативная память ОЗУ Dell 16 ГБ 370-AEVQ
Серверная оперативная память ОЗУ Dell 16 ГБ 370-AEVQ (16 ГБ, DDR4)
7519

Оперативная память Samsung M321R2GA3BB6-CQK
16 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
10016

Оперативная память Samsung M321R8GA0BB0-CQK
64 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
36632

Модуль памяти Synology D4EC-2666-16G
Модуль памяти для СХД DDR4 ECC Unregistered DIMM 16 Гб
58963

Оперативная память Samsung M393B2G70DB0-YK0
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR3L | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб / с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.35 В
16095

Оперативная память Samsung M393A1K43DB2-CWE
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18
5109

Оперативная память Synology D4ES01-4G
Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 19
15158

Оперативная память Synology D4RD-2666-16G
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Registered DIMM | Количество контактов: 288 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 16
64130

Серверная оперативная память ОЗУ Dell 64 ГБ 370-AEVPt
Серверная оперативная память ОЗУ Dell 64 ГБ 370-AEVPt (64 ГБ, DDR4)
31117

Оперативная память Samsung M378A1G44AB0-CWE
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: UDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
2651

Оперативная память Samsung M386AAG40AM3-CWE M386AAG40AM3-CWEZY
Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP8G x 4) x 36
92296

Оперативная память Samsung M393A8G40BB4-CWE M393A8G40BB4-CWEBY
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
19226

Оперативная память Synology D4EC-2666-8G
Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Количество модулей: 1
30273

Оперативная память Synology D4ECSO-2666-16G
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 17
58858

Оперативная память Synology D4ER01-32G
модуль оперативной памяти 32 Гб DDR4 ECC Registered DIMM, для FS3410, HD6500, SA6400, SA3610, SA3410
108538

Оперативная память Synology D4ES01-16G
модуль оперативной памяти 16 Гб DDR4 ECC Unbuffered SO-DIMM, для DS3622xs+, DS2422+
51052

Оперативная память Synology D4ES01-8G
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 19
29150

Оперативная память QNAP RAM-4GDR4A0-UD-2400
Объем: 4 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: UDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
23936

Оперативная память Samsung M321R4GA0BB0-CQK
32 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
17833


Вверх