Оперативная память . Страница 23

Найдено 2002 товар
23 / 56
Оперативная память Kingston ValueRAM KVR26N19S8/16
DDR4, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 2666 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-21300, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, KVR26N19S8 / 16
3304

Оперативная память Kingston ValueRAM KVR48S40BD8-32
DDR5, объём: 1 модуль на 32Gb, тактовая частота: 4800 MHz, форм-фактор: SODIMM 262-контактный, скорость: PC-38400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, KVR48S40BD8-32
9421

Оперативная память Kingston ValueRAM KVR52S42BS6-8
DDR5, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 5200 MHz, форм-фактор: SODIMM 262-контактный, скорость: PC-41600, поддержка XMP: нет, ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, KVR52S42BS6-8
3313

Оперативная память Kingston ValueRAM KVR52U42BS8-16
DDR5, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 5200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-41600, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, KVR52U42BS8-16
6480

Оперативная память Kingston ValueRAM KVR56U46BS6K2-16
DDR5, объём: 2 модуля по 8Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, KVR56U46BS6K2-16
7394

Оперативная память Lenovo 4ZC7A08710
64 Гб, DDR4 DIMM, 23400 Мб / с, ECC, буферизованная
34387

Оперативная память QNAP RAM-16GDR4A0-UD-2400
Объем: 16 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 240-контакта | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
61221

Оперативная память Samsung M323R1GB4DB0-CWM
DDR5, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-38400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, M323R1GB4DB0-CWM
3268

Оперативная память Samsung M323R1GB4PB0-CWM
DDR5, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, M323R1GB4PB0-CWM
3301

Оперативная память Samsung M378A1G44AB0-CWE
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: UDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
2651

Оперативная память Samsung M378A1K43DB2-CVF
DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 2933 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-23400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, M378A1K43DB2-CVF
2194

Оперативная память Samsung M386AAG40AM3-CWE M386AAG40AM3-CWEZY
Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP8G x 4) x 36
87838

Оперативная память Samsung M393A2K40EB3-CWEGY
DDR4, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: да, XMP: нет, M393A2K40EB3-CWEGY
6281

Оперативная память Samsung M393A4G43AB3-CWEBY
DDR4, объём: 1 модуль на 32Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M393A4G43AB3-CWEBY
7994

Оперативная память Synology D4ECSO-2666-16G
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 17
55628

Оперативная память Synology D4ER01-32G
модуль оперативной памяти 32 Гб DDR4 ECC Registered DIMM, для FS3410, HD6500, SA6400, SA3610, SA3410
103296

Оперативная память Synology D4ES01-16G
модуль оперативной памяти 16 Гб DDR4 ECC Unbuffered SO-DIMM, для DS3622xs+, DS2422+
50943

Оперативная память Synology D4ES01-8G
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 19
29150

Память DDR3 4Gb 1333MHz AMD R334G1339U1S-U
Память DDR3 4Gb 1333MHz AMD R334G1339U1S-U R3 Value RTL PC3-10600 CL9 DIMM 240-pin 1.5В Ret
725

Память DDR4 16Gb 2666MHz Hikvision HKED4161DAB1D0ZA1/16G
Память DDR4 16Gb 2666MHz Hikvision HKED4161DAB1D0ZA1 / 16G RTL PC4-21300 CL19 DIMM 288-pin 1.2В Ret
2175

Память DDR4 16GB 3200MHz Hikvision HKED4161DAA2F0ZB2/16G
Память DDR4 16GB 3200MHz Hikvision HKED4161DAA2F0ZB2/16G U10 RTL Gaming PC4-25600 CL16 DIMM 288-pin 1.35В с радиатором Ret
2581

Память DDR5 16Gb 6200MHz Hikvision HKED5161DAK6O8ZO1/16G
Память DDR5 16Gb 6200MHz Hikvision HKED5161DAK6O8ZO1 / 16G U1 RTL Gaming PC5-49600 CL34 DIMM 288-pin 1.25В Ret
5275

Память DDR5 32GB 5600MHz Digma DGMAD55600032D
Память DDR5 32GB 5600MHz Digma DGMAD55600032D RTL PC5-44800 CL46 DIMM 288-pin 1.1В dual rank Ret
8141

Память оперативная Kingston KF426C16BB12AK4/64
Non-ECC Unbuffered DIMM (Kit of 4) 2RX8 16-18-18 1.2V 288-pin 8Gbit
15214

Серверная оперативная память ОЗУ HP Registered Smart Memory Kit P06188-001
Модуль памяти HPE 16GB (1x16GB) Dual Rank x8 DDR4-2933 CAS-21-21-21 Registered Smart Memory (for Gen10 Intel 2nd Gen, NEW Pulled, P00922-B21)
9930

Серверная оперативная память ОЗУ Samsung 32 ГБ M393B4G70EMB-CK0
Samsung DIMM 32GB 1600MHz DDR3 ECC REG 1.5V, 1 year warranty
29345

Серверная оперативная память ОЗУ Samsung 8GB M393A1K43DB2-CWEGY
Samsung DDR4 8GB RDIMM (PC4-25600) 3200MHz ECC Reg 1.2V (M393A1K43DB2-CWE)
6277

Серверная оперативная память ОЗУ Samsung M321RAGA0B20-CWKZJ
Память оперативная / Samsung DDR5 128GB 4800MHz RDIMM
108644

Серверная оперативная память ОЗУ Samsung M393B1K70DH0-YK0
Samsung DDR3 8GB RDIMM 1600 1.35V Tray Б / У, гарантия 6 месяцев
6709

Оперативная память Samsung M378A1K43EB2-CWE M378A1K43EB2-CWED0
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
2602

Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CWE
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36
22571

Оперативная память Samsung M393A8G40MB2-CVF
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36
21187

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CQK
DDR5, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 4800 MHz, форм-фактор: SODIMM 260-контактный, скорость: PC-38400, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, M425R1GB4BB0-CQK
2607

Оперативная память Synology D4ER01-16G
модуль оперативной памяти 16 Гб DDR4 ECC Registered DIMM, для FS3410, SA3610, SA3410
56326

Оперативная память Synology D4ES02-8G
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 25600 Мб / с | Частота: 3200 МГц | Напряжение питания: 1.2 В
30317


✅ Интернет-магазин Telecom-Sales.Ru Санкт-Петербург предлагает купить Оперативная память Adata, AMD, Crucial, Dahua, Dell, Digma, Fujitsu, H3C, Hikvision, HP, Hynix, Infortrend, Kingston, Lenovo, QNAP, Samsung, SuperMicro, Synology - 499 шт. в наличии

✅ На модуль памяти цены начинаются от 220 руб. В стоимость включен НДС. Вы можете купить модуль памяти как оптом, так и в розницу, работаем с юридическими и физическими лицами.

✅ Для удобства выбора в каталоге представлены технические характеристики, описание товаров, цены и фотографии.

✅ Не упустите возможность приобрести Оперативная память для дома или бизнеса в нашем интернет-магазине в Санкт-Петербурге. У нас большой ассортимент со склада, доступные цены и быстрая доставка.

Почему стоит купить Оперативная память в Telecom-Sales.Ru?

  • Широкий выбор продукции на складе в Санкт-Петербурге и Москве
  • Доступные цены и выгодные скидки
  • Быстрая доставка по всей России
  • Гарантия качества на все товары
  • Удобные способы оплаты
  • Профессиональная консультация
Вверх