Оперативная память DDR4. Страница 2

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36

Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 non-ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 17

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Модуль памяти HPE 64GB (1x64GB) 2Rx4 PC4-2933Y-R DDR4 Registered Memory Kit for Gen10 Cascade Lake

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: ECC UDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18