Закажите обратный звонок

⏰пн-пт 10.00 - 18.00
✉️sales@telecom-sales.ru

☎️ 8 (812) 448 39 55

☎️ 8 (800) 333 43 73

ValueRAM | Объем: 16 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память Kingston KVR26N19D8/16
5 009
 В корзину

Модуль памяти для СХД DDR4 ECC Unregistered DIMM 16 Гб

Модуль памяти Synology D4EC-2666-16G
56 191
 В корзину

Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: RDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-8GDR4ECT0-RD-2400
46 274
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 17 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KCP426SS8/8
2 640
 В корзину

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Registered DIMM | Количество контактов: 288 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 16

Оперативная память Synology D4RD-2666-16G
43 376
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18

Оперативная память Samsung M393A1K43DB2-CWE
5 348
 В корзину

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36

Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWE
12 244
 В корзину

Объем: 16 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 240-контакта | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-16GDR4A0-UD-2400
70 723
 В корзину

Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KVR26N19S6/4
1 903
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KVR26S19S8/8
2 810
 В корзину

Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память Synology D4EC-2666-8G
25 632
 В корзину

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 17

Оперативная память Synology D4ECSO-2666-16G
57 177
 В корзину

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36

Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CVF
53 052
 В корзину

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Samsung M393A8G40BB4-CWE
23 128
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: UDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Samsung M378A1G44AB0-CWE
2 780
 В корзину

Объем: 4 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: UDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-4GDR4A0-UD-2400
23 374
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KVR26N19S8/8
2 810
 В корзину

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Registered DIMM | Количество контактов: 288 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 16

Оперативная память Synology D4RD-2666-32G
76 893
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Samsung M378A1K43EB2-CWE
2 780
 В корзину

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36

Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CWE
28 914
 В корзину

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23466 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В

Оперативная память HP P00924-B21
25 682
 В корзину

Объем: 1 x 4 Гб | Тип: DDR4 ECC Unbuffered DIMM | Количество контактов: 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Количество модулей: 1

Оперативная память Synology D4EU01-4G
8 873
 В корзину

Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (3DS 2H 8G x 4) x 36

Оперативная память Samsung M393AAG40M32-CAE
85 766
 В корзину

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 9

Оперативная память Samsung M393A1K43DB1-CVF
4 703
 Заказать

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36

Оперативная память Samsung M393A8G40AB2-CWE
15 109
 Заказать

Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2400 МГц | Пропускная способность: 19200 Мб/с | CAS Latancy: 17 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Samsung M471A5244CB0-CRC
1 384
 Заказать

Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 19

Оперативная память Synology D4ES01-4G
12 323
 Заказать

Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (DDP8G x 4) x 36

Оперативная память Samsung M386AAG40MMB-CVF
79 115
 Заказать

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18

Оперативная память Samsung M393A2K40DB3-CWE
5 160
 Заказать

Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: UDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1

Оперативная память QNAP RAM-8GDR4A0-UD-2400
44 804
 Заказать

Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В

Оперативная память Kingston KVR26S19S6/4
1 893
 Заказать

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В

Оперативная память HP P00922-B21
17 206
 Заказать

модуль памяти ddr4

Наши опытные консультанты помогут подобрать оптимальное решение для ваших задач.

Почему стоит покупать Оперативная память DDR4 в Telecom-Sales.Ru:

  • Широкий выбор продукции на складе
  • Доступные цены и выгодные скидки
  • Быстрая доставка по Санкт-Петербургу и всей России
  • Гарантия качества на все товары
  • Удобные способы оплаты
  • Профессиональная консультация

✅ Интернет-магазин Telecom-Sales.Ru предлагает купить Оперативная память DDR4 Dell, HP, Kingston, Lenovo, QNAP, Samsung, SuperMicro, Synology - 23 шт. в наличии

✅ Цены на модуль памяти ddr4 начинаются от 1903 руб. В стоимость включен НДС. Вы можете приобрести модуль памяти ddr4 как оптом, так и в розницу, работаем с юридическими и физическими лицами.

✅ Для удобства выбора в каталоге представлены технические характеристики, описание товаров, цены и фотографии.

Не упустите возможность купить Оперативная память DDR4 для дома или бизнеса в нашем интернет-магазине в Санкт-Петербурге. У нас большой ассортимент со склада, доступные цены и быстрая доставка.