Комплектующие для ПК и серверов Samsung купить, цены | telecom-sales.ru Санкт-Петербург. Страница 4

Сортировать:Найдено 127 товар

4 / 4

Нет в наличии

Накопитель SSD 1Tb Samsung 990 EVO MZ-V9E1T0BW

Внутренний ssd, m.2, 1000 гб, pci-e 4.0 x4, nvme, чтение: 5000 мб / сек, запись: 4200 мб / сек, tlc, 2280

11276 ₽

Нет в наличии

Накопитель SSD 7.68Tb SAS Samsung PM1653 MZILG7T6HBLA-00A07

7680 Гб ssd, 2.5", интерфейс sas 4.0 (24 гбит / с)

499302 ₽

Нет в наличии

SSD накопитель Samsung MZ-77E2T0BW

65727 ₽

Нет в наличии

SSD накопитель Samsung MZ-77Q1T0BW

9412 ₽

Нет в наличии

SSD диск Samsung 870 EVO 2Tb MZ-77E2T0B/EU

Объем 2 Тб, форм-фактор 2.5", интерфейс SATA 6Gb / s, скорость записи до: 530 МБ / с, скорость чтения до: 560 МБ / с, MZ-77E2T0B / EU

33565 ₽

Нет в наличии

Карта памяти 128Gb MicroSD Samsung EVO Plus + SD адаптер MB-MC128SA

Карта памяти, microsdxc, 128 гб, чтение: 160 мб / с, интерфейс: uhs-i (sd 3.0), класс скорости: u3, c10, v30, a2, адаптер на sd

4344 ₽

Нет в наличии

Карта памяти 256Gb MicroSD Samsung PRO Plus + SD адаптер MB-MD256SA

Карта памяти, microsdxc, 256 гб, чтение: 180 мб / с, запись: 130 мб / с, v30, a2, адаптер на sd

3783 ₽

Нет в наличии

Внутренний жесткий диск Samsung 870 EVO MZ-77E1T0B/AM, 1 ТБ, 2.5 дюйма, SATA) MZ-77E1T0B/AM

SSD жесткий диск SATA2.5\" 1TB 6GB / S 870 EVO MZ-77E1T0B / AM SAMSUNG

31750 ₽

Нет в наличии

Внутренний жесткий диск Samsung 990 PRO NVME MZ-V9P1T0B/AM, 1 ТБ, M.2, PCIe) MZ-V9P1T0B/AM

Интерфейс: Тип интерфейса: PCI Express Версия PCI-E: PCIe 4.0 x4 w / NVMe Вид устройства: Внутренний твердотельный накопитель Позиционирование использования: Desktop Серия продукции: 990 PRO Поддержка секторов 4кБ (Advanced Format): Да Форм-фактор: M.2 2280 Номинальный объем, ГБ: 1000 Тип памяти: 3D V-NAND MLC Объем буфера, МБ: 1024 Тип буферной памяти: DDR4 Максимальная скорость чтения, МБ / с: 7450 Максимальная скорость записи, МБ / с: 6900 Скорость случайного чтения (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1200 Скорость случайной записи (блоки по 4 кБ), kIOPS: 1550 Среднее время наработки на отказ (MTBF), тыс. час.: 1500 Суммарное число записываемых Байт (TBF), ТБ: 600 Ударостойкость при хранении, G: 1500 Энергопотребление при работе, Вт, max: 7.8 Размеры: Ширина, мм: 80 Высота, мм: 2.3 Глубина, мм: 22 Комплект поставки: Накопитель, документация

27300 ₽

Нет в наличии

Внешний накопитель SSD 1Tb Samsung T7 MU-PC1T0T/WW

Внешний ssd, 1.8", 1000 гб, usb type-c, чтение: 1050 мб / сек, запись: 1000 мб / сек

12346 ₽

Нет в наличии

Оперативная память Samsung M321R2GA3BB6-CQK

DDR5, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 4800 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-38400, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321R2GA3BB6-CQK

67117 ₽

Нет в наличии

Оперативная память Samsung M321R8GA0BB0-CQK

DDR5, объём: 1 модуль на 64Gb, тактовая частота: 4800 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-38400, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: да, M321R8GA0BB0-CQK

230470 ₽

Нет в наличии

Оперативная память Samsung M321R8GA0PB2-CCPWF

DDR5, объём: 1 модуль на 64Gb, тактовая частота: 6400 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-51200, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321R8GA0PB2-CCPWF

399036 ₽

Нет в наличии

Оперативная память Samsung M321RAJA0MB0-CWMNY

DR5, объём: 1 модуль на 128Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321RAJA0MB0-CWMNY

634806 ₽

Нет в наличии

Оперативная память Samsung M425R1GB4BB0-CWM

DDR5, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: SODIMM, скорость: PC-44800, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, M425R1GB4BB0-CWM

17653 ₽

Нет в наличии