Оперативная память . Страница 3 Тип памяти: DDR4

Найдено 97 товар
3 / 3 
Примененные фильтры
Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CWE
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36
23894

Оперативная память Samsung M393A8G40MB2-CVF
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36
21187

Оперативная память Synology D4ER01-16G
модуль оперативной памяти 16 Гб DDR4 ECC Registered DIMM, для FS3410, SA3610, SA3410
54517

Оперативная память Synology D4ES02-8G
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 25600 Мб / с | Частота: 3200 МГц | Напряжение питания: 1.2 В
30317

Оперативная память Synology D4NESO-2666-4G
Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 non-ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 17
16325

Оперативная память Synology D4RD-2666-32G
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Registered DIMM | Количество контактов: 288 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 16
104940

Оперативная память Samsung M393AAG40M32-CAE
Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (3DS 2H 8G x 4) x 36
104140

Оперативная память Synology D4EU01-4G
Объем: 1 x 4 Гб | Тип: DDR4 ECC Unbuffered DIMM | Количество контактов: 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Количество модулей: 1
11660

Оперативная память Samsung M393A2K43EB3-CWE M393A2K43EB3-CWEBY
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18
6375

Память DDR4 8GB 3200MHz Hikvision HKED4081CBA2D2ZA4/8G
Память DDR4 8Gb 3200MHz Hikvision HKED4081CBA2D2ZA4 / 8G U100 RGB RTL Gaming PC4-25600 CL16 DIMM 288-pin 1.35В с радиатором Ret
3378

Оперативная память 32Gb DDR4 3600MHz Dahua DHI-DDR-C600URW32G36D
32 Гб, 2 модуля ddr4, 28800 мб/с, cl18, 1.35 в, xmp профиль, радиатор, подсветка
13008

Оперативная память Samsung M393A1K43DB1-CVF
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 9
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M471A5244CB0-CRC M471A5244CB0-CRCD0
Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2400 МГц | Пропускная способность: 19200 Мб / с | CAS Latancy: 17 | Питание: 1.2 В
Цена по запросу

Оперативная память Synology RAMRG2133DDR4-16GB
модуль памяти объемом 16 Гбайт, DDR4, 2133 МГц, ECC, регистровая, Dual Rank, 1.2В
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M386AAG40MMB-CVF M386AAG40MMB-CVFBY
Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (DDP8G x 4) x 36
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M393A2K40DB3-CWE M393A2K40DB3-CWEBY
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18
Цена по запросу

Оперативная память QNAP RAM-8GDR4A0-UD-2400
Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: UDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
Цена по запросу

Оперативная память Synology RAMRG2133DDR4-32GB
модуль оперативной памяти объёмом 32Гбайт, DDR4, 2133МГц, ECC, регистровая, для СХД Synology RackStation RS4017xs+/RS3617xs+/RPxs
Цена по запросу

Оперативная память 16Gb DDR4 3200MHz Hikvision SO-DIMM (HKED4162CAB1G4ZB1/16G) HKED4162CAB1G4ZB1/16G

Оперативная память Samsung M378A4G43BB2-CWE
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M393A4K40CB2-CVF M393A4K40CB2-CVFBY
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M471A1K43EB1-CWE M471A1K43EB1-CWED0
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M391A2G43BB2-CWE M391A2G43BB2-CWEQY
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M391A2K43DB1-CVF
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: ECC UDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В
Цена по запросу

Оперативная память Samsung M393A2K40DB2-CTD M393A2K40DB2-CTD7Y
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб / с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18
Цена по запросу


Вверх