Оперативная память. Страница 2. Количество модулей в комплекте: 1 модуль

Найдено 223 товар
2 / 7
Примененные фильтры
 В наличии
Оперативная память Samsung M321R4GA3BB6-CQKET
DDR5, объём: 1 модуль на 32Gb, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-38400, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321R4GA3BB6-CQKET

 Нет в наличии
Оперативная память Samsung M321R4GA3EB2-CCPPF
DDR5, объём: 1 модуль на 32Gb, тактовая частота: 6400 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-51200, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321R4GA3EB2-CCPPF

 В наличии
Оперативная память Samsung M321R4GA3PB2-CCPWF
DDR5, объём: 1 модуль на 32Gb, тактовая частота: 6400 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-51200, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321R4GA3PB2-CCPWF

 В наличии
Оперативная память Samsung M321R8GA0EB0-CWMXJ
DDR5, объём: 1 модуль на 64Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: да, M321R8GA0EB0-CWMXJ

 В наличии
Оперативная память Samsung M321R8GA0EB2-CWMXJ
DDR5, объём: 1 модуль на 64Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321R8GA0EB2-CWMXJ

 В наличии
Оперативная память Samsung M321R8GA0PB0-CWM
DDR5, объём: 1 модуль на 64Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321R8GA0PB0-CWM

 В наличии
Оперативная память Samsung M323R1GB4BB0-CQK
8 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 5600 МГц, CL46, 288-pin, 1.1 В

 В наличии
Оперативная память Samsung M393A2K43DB3-CWE
DDR4, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да (M393A2K43DB3-CWE)

 В наличии
Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWE
DDR4, объём: 1 модуль на 32Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M393A4K40EB3-CWE

 В наличии
Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWEBY
DDR4, объём: 1 модуль на 32Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: RDIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: да, M393A4K40EB3-CWEBY

 В наличии
Оперативная память Samsung M393A8G40AB2-CWE
DDR4, объём: 1 модуль на 64Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M393A8G40AB2-CWE

 В наличии
Оперативная память Samsung M425R2GA3BB0-CWM
DDR5, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: SODIMM 262-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, M425R2GA3BB0-CWM

 В наличии
Память DDR5 16GB 5600MHz Digma DGMAD55600016S
Память DDR5 16GB 5600MHz Digma DGMAD55600016S RTL PC5-44800 CL50 DIMM 288-pin 1.1В single rank Ret

 В наличии
Оперативная память ADATA AD5S48008G-S
8 Гб, DDR5, 38400 Мб / с, CL40, 1.1 В

 В наличии
Оперативная память ADATA AD5S AD5S56008G-S
8 Гб, DDR5, 44800 Мб / с, CL46, 1.1 В

 В наличии
Оперативная память AMD R334G1339U1S-U
Память DDR3 4Gb 1333MHz AMD R334G1339U1S-U R3 Value RTL PC3-10600 CL9 DIMM 240-pin 1.5В Ret

 В наличии
Оперативная память AMD R538G1601S2S-U
Память DDR3 8Gb 1600MHz AMD R538G1601S2S-U RTL PC3-12800 CL11 SO-DIMM 204-pin 1.5В dual rank Ret

 В наличии
Оперативная память AMD R9416G3206U2S-U
Память DDR4 16GB 3200MHz AMD R9416G3206U2S-U R9 RTL PC4-25600 CL16 DIMM 288-pin 1.35В Ret

 В наличии
Оперативная память AMD R9432G3206U2S-U
Память DDR4 32Gb 3200MHz AMD R9432G3206U2S-U R9 RTL PC4-25600 CL16 DIMM 288-pin 1.2В Ret

 В наличии
Оперативная память Digma DGMAD43200008D
Память DDR4 8Gb 3200MHz Digma DGMAD43200008D RTL PC4-25600 CL22 DIMM 288-pin 1.2В dual rank Ret

 В наличии
Оперативная память HP 500204-061
Память 4GB 1066MHz PC3-8500R 4GB Reg (DDR3-1066) ECC 500660-B21 (1 module per Kit) / 501535-001 / 500204-061

 В наличии
Оперативная память HP DDR3 PC3-8500
Память DDR PC3-8500R 2GB HP 2Gb DDR3 PC3-8500

 Нет в наличии
Оперативная память Samsung M321R2GA3PB0-CWMRF
DDR5, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321R2GA3PB0-CWMRF

 Нет в наличии
Оперативная память Samsung M321R8GA0PB0-CWMCJ
DDR5, объём: 1 модуль на 64Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-44800, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: да, M321R8GA0PB0-CWMCJ

 В наличии
Оперативная память Samsung M321RAGA0B20-CWKZJ
DDR5, объём: 1 модуль на 128Gb, тактовая частота: 4800 MHz, форм-фактор: RDIMM, скорость: PC-38400, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321RAGA0B20-CWKZJ

 В наличии
Оперативная память Samsung M321RAJA0MB0-CWMHY
DDR5, объём: 1 модуль на 128Gb, тактовая частота: 5600 MHz, форм-фактор: RDIMM, скорость: PC-44800, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321RAJA0MB0-CWMHY

 В наличии
Оперативная память Samsung M321RAJA0MB2-CCPWC
DDR5, объём: 1 модуль на 128Gb, тактовая частота: 6400 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-51200, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M321RAJA0MB2-CCPWC

 В наличии
Оперативная память Samsung M393A2K40EB3-CWEBY
DDR4, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, M393A2K40EB3-CWEBY

 В наличии
Оперативная память Samsung M393A2K40EB3-CWEGY
DDR4, объём: 1 модуль на 16Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: есть, Low Profile: нет, Registered: да, XMP: нет, M393A2K40EB3-CWEGY

 В наличии
Оперативная память Samsung M393A8G40BB4-CWE
DDR4, объём: 1 модуль на 64Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: DIMM 288-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: да, Low Profile: нет, Registered: да, XMP: нет, M393A8G40BB4-CWE

 В наличии
Оперативная память Samsung M471A1G44CB0-CWE
DDR4, объём: 1 модуль на 8Gb, тактовая частота: 3200 MHz, форм-фактор: SODIMM 260-контактный, скорость: PC-25600, поддержка ECC: нет, Low Profile: нет, Registered: нет, M471A1G44CB0-CWE

 В наличии
Оперативная память Synology D4ECSO-2666-16G
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 17

 В наличии
Оперативная память Synology D4ES01-8G
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб / с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 19

 В наличии
Память DDR4 32GB 3200MHz Digma DGMAD43200032D
Память DDR4 32GB 3200MHz Digma DGMAD43200032D RTL PC4-25600 CL22 DIMM 288-pin 1.2В dual rank Ret

 В наличии
Оперативная память ADATA AD4S320016G22-SGN
16 Гб, DDR4, 25600 Мб / с, CL22, 1.2 В

 В наличии
Оперативная память ADATAAD5U48008G-S
8 Гб, DDR5, 38400 Мб / с, CL40, 1.1 В


Вверх