Найдено 36 товар
 1 / 1 
0

Оперативная память Samsung M393A8G40AB2-CWE M393A8G40AB2-CWEBY

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36
22269

0

Оперативная память Samsung M323R1GB4BB0-CQK

8 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 5600 МГц, CL46, 288-pin, 1.1 В
3804

0

Оперативная память Samsung M323R4GA3BB0-CQK

32 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
11025

0

Оперативная память Samsung M393A1K43DB2-CWE

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18
6759

0

Оперативная память Samsung M393A4K40EB3-CWE M393A4K40EB3-CWEBY

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36
9206

0

Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CVF

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36
57520

0

Оперативная память Samsung M393A8G40BB4-CWE M393A8G40BB4-CWEBY

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
18741

0

Оперативная память Samsung M321R4GA0BB0-CQK

32 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
19292

0

Оперативная память Samsung M324R4GA3BB0-CQK

32 Гб, ECC UDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
25049

0

Оперативная память Samsung M386A8K40DM2-CWE

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36
33818

0

Оперативная память Samsung M321R2GA3BB6-CQK

16 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
11466

0

Оперативная память Samsung M321R8GA0BB0-CQK

64 Гб, ECC RDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
40679

0

Оперативная память Samsung M323R2GA3DB0-CWM

16 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 5600 МГц, CL46, 288-pin, 1.1 В
6593

0

Оперативная память Samsung M393AAG40M32-CAE

Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (3DS 2H 8G x 4) x 36
117752

0

Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CQK

32 Гб, non-ECC SODIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 262-pin, 1.1 В
15653

0

Оперативная память Samsung M323R2GA3BB0-CQK

16 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 4800 МГц, CL40, 288-pin, 1.1 В
7083

0

Оперативная память Samsung M393A1K43DB1-CVF

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 9
4834

0

Оперативная память Samsung M393B2G70DB0-YK0

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR3L | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб / с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.35 В
16095

0

Оперативная память Samsung M425R4GA3BB0-CWM

32 Гб, non-ECC SODIMM DDR5, 5600 МГц, CL46, 262-pin, 1.1 В
15653

0

Оперативная память Samsung M471A5244CB0-CRC M471A5244CB0-CRCD0

Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2400 МГц | Пропускная способность: 19200 Мб / с | CAS Latancy: 17 | Питание: 1.2 В
1423

0

Серверная оперативная память ОЗУ Samsung M393A4K40CB2-CVF

Серверная оперативная память ОЗУ Samsung M393A4K40CB2-CVF (32 ГБ, DDR4)
15632

0

Оперативная память Samsung M386AAG40MMB-CVF M386AAG40MMB-CVFBY

Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (DDP8G x 4) x 36
81333

0

Оперативная память Samsung M393A2K40DB3-CWE M393A2K40DB3-CWEBY

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18
5304

0

Оперативная память Samsung M393B1G70BH0-YK0

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR3 | Тактовая частота: 1600 МГц | Пропускная способность: 12800 Мб / с | CAS Latancy: 11 | Питание: 1.35 В
8511

0

Оперативная память Samsung M323R4GA3DB0-CWM

32 Гб, non-ECC UDIMM DDR5, 5600 МГц, CL46, 288-pin, 1.1 В
13774

0

Оперативная память Samsung M378A1G44AB0-CWE

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: UDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
2439

0

Оперативная память Samsung M386AAG40AM3-CWE M386AAG40AM3-CWEZY

Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP8G x 4) x 36
101423

0

Оперативная память Samsung M378A1K43EB2-CWE M378A1K43EB2-CWED0

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
2651

0

Оперативная память Samsung M378A4G43BB2-CWE

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
8668

0

Оперативная память Samsung M393A8G40MB2-CVF

Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36
16836

0

Оперативная память Samsung M391A2G43BB2-CWE M391A2G43BB2-CWEQY

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
8874

0

Оперативная память Samsung M391A2K43DB1-CVF

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: ECC UDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В
8559

0

Оперативная память Samsung M393A2K40DB2-CTD M393A2K40DB2-CTD7Y

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб / с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18
13044

0

Оперативная память Samsung M393A2K43EB3-CWE M393A2K43EB3-CWEBY

Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18
8754

0

Оперативная память Samsung M471A1K43EB1-CWE M471A1K43EB1-CWED0

Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб / с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
3001

0

Оперативная память Samsung M393A4K40CB2-CVF M393A4K40CB2-CVFBY

Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб / с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36
Цена по запросу


модуль памяти Самсунг

Наши опытные консультанты помогут подобрать оптимальное решение для ваших задач.

Почему стоит покупать Оперативная память Самсунг в Telecom-Sales.Ru:

  • Широкий выбор продукции Samsung на складе
  • Доступные цены и выгодные скидки
  • Быстрая доставка по Санкт-Петербургу и всей России
  • Гарантия качества на все товары
  • Удобные способы оплаты
  • Профессиональная консультация

✅ Интернет-магазин Telecom-Sales.Ru предлагает купить Оперативная память Samsung - 15 шт. в наличии

✅ Цены на модуль памяти Самсунг начинаются от 3804 руб. В стоимость включен НДС. Вы можете приобрести модуль памяти Samsung как оптом, так и в розницу, работаем с юридическими и физическими лицами.

✅ Для удобства выбора в каталоге представлены технические характеристики, описание товаров, цены и фотографии.

Не упустите возможность купить Оперативная память Samsung для дома или бизнеса в нашем интернет-магазине в Санкт-Петербурге. У нас большой ассортимент Самсунг со склада, доступные цены и быстрая доставка.

Вверх