Оперативная память DDR4
ValueRAM | Объем: 16 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Количество модулей: 1
Модуль памяти для СХД DDR4 ECC Unregistered DIMM 16 Гб
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (4G x 4) x 36
Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: RDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Registered DIMM | Количество контактов: 288 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 16
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 17 | Питание: 1.2 В
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 18
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 36
Объем: 16 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 240-контакта | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В
Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: DIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Количество модулей: 1
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 17
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 19
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В
Объем: 4 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: UDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В
Объем памяти: 64 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (DDP4G x 4) x 36
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Registered DIMM | Количество контактов: 288 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 16
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В
Объем памяти: 32 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23466 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В
Объем: 1 x 4 Гб | Тип: DDR4 ECC Unbuffered DIMM | Количество контактов: 288-контактов | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Количество модулей: 1
Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (3DS 2H 8G x 4) x 36
Объем памяти: 8 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (1G x 8) x 9
Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2400 МГц | Пропускная способность: 19200 Мб/с | CAS Latancy: 17 | Питание: 1.2 В
Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 ECC Unbuffered SODIMM | Количество контактов: 260 | Пропускная способность: 21300 Мб/с | Частота: 2666 МГц | Напряжение питания: 1.2 В | Тайминг CAS Latency: 19
Объем памяти: 128 Гб | Тип памяти: LRDIMM DDR4 | Тактовая частота: 2933 МГц | Пропускная способность: 23400 Мб/с | CAS Latancy: 21 | Питание: 1.2 В | (DDP8G x 4) x 36
Объем памяти: 16 Гб | Тип памяти: RDIMM DDR4 | Тактовая частота: 3200 МГц | Пропускная способность: 25600 Мб/с | CAS Latancy: 22 | Питание: 1.2 В | (2G x 4) x 18
Объем: 8 Гб | Тип: DDR4 | Форм-фактор: UDIMM 288-контактов | Тактовая частота: 2400 МГц | Количество модулей: 1
Объем памяти: 4 Гб | Тип памяти: DDR4 | Тактовая частота: 2666 МГц | Пропускная способность: 21300 Мб/с | CAS Latancy: 19 | Питание: 1.2 В
модуль памяти ddr4
Наши опытные консультанты помогут подобрать оптимальное решение для ваших задач.
Почему стоит покупать Оперативная память DDR4 в Telecom-Sales.Ru:
- Широкий выбор продукции на складе
- Доступные цены и выгодные скидки
- Быстрая доставка по Санкт-Петербургу и всей России
- Гарантия качества на все товары
- Удобные способы оплаты
- Профессиональная консультация
✅ Интернет-магазин Telecom-Sales.Ru предлагает купить Оперативная память DDR4 Dell, HP, Kingston, Lenovo, QNAP, Samsung, SuperMicro, Synology - 25 шт. в наличии
✅ Цены на модуль памяти ddr4 начинаются от 1778 руб. В стоимость включен НДС. Вы можете приобрести модуль памяти ddr4 как оптом, так и в розницу, работаем с юридическими и физическими лицами.
✅ Для удобства выбора в каталоге представлены технические характеристики, описание товаров, цены и фотографии.
Не упустите возможность купить Оперативная память DDR4 для дома или бизнеса в нашем интернет-магазине в Санкт-Петербурге. У нас большой ассортимент со склада, доступные цены и быстрая доставка.